ไอออน-อุปกรณ์ช่วยระเหยสุญญากาศ

ระบบการระเหยสูญญากาศแบบช่วยด้วยไอออน-รวมแหล่งกำเนิดการระเหยด้วยลำแสงความร้อนหรืออิเล็กตรอน-ในสุญญากาศสูงเข้ากับแหล่งกำเนิดไอออนแบบฮอลล์-ประเภท Kaufman หรือจุดสิ้นสุด- โดยการระดมยิงฟิล์มที่กำลังเติบโตด้วยก๊าซไอออไนซ์ (Ar หรือ O2) ในระหว่างการสะสมไอทางกายภาพ (PVD) ระบบจะถ่ายโอนพลังงานจลน์ไปยังอะอะตอม ระงับโครงสร้างจุลภาคแบบเรียงเป็นแนว และป้องกันการดูดซับความชื้นในฟิล์มบางแบบออปติกและไดอิเล็กทริก

สร้างขึ้นเพื่อการบูรณาการห้องปลอดเชื้อและการผลิตหลาย-กะอย่างต่อเนื่อง ระบบปรับขนาดตั้งแต่พื้นที่การวิจัยและพัฒนา (ห้องขนาด 300 มม.) ไปจนถึงสายอุตสาหกรรมที่มีปริมาณงานสูง- (การกำหนดค่าประตูคู่-ขนาด 900 มม. และการหมุนของดาวเคราะห์)

ใกล้-ความหนาแน่นรวม:การเคลื่อนตัวของพื้นผิว adatom ที่สูงขึ้นช่วยลดความพรุนของฟิล์มที่มองเห็นได้ และเพิ่มความแข็งเชิงกลให้สูงสุด

การปรับความเครียดภายใน:พลังงานลำแสงไอออนแบบปรับได้ช่วยลดความเครียดเชิงกล ป้องกันการหลุดล่อนบนชั้นอิเล็กทริกหนา

การประมวลผลงบประมาณ-ความร้อน-ต่ำ:การเพิ่มความหนาแน่นที่ขับเคลื่อนด้วยโมเมนตัมช่วยให้-ประสิทธิภาพสูงในการเคลือบบนพื้นผิวโพลีเมอร์ที่ไวต่ออุณหภูมิ- โดยไม่มีการบิดเบือนจากความร้อน

ระบบอัตโนมัติของสูตร:PLC-อินเทอร์ล็อคสุญญากาศที่ควบคุมและปั๊ม-ลำดับขั้นลงที่จัดการผ่านแผงสัมผัสอุตสาหกรรม- HMI พร้อมการบันทึกข้อมูล

ขั้นตอนการหยาบ:ปั๊มเชิงกลใบพัดหมุนสอง- สเตจ ควบคู่กับรูทโบลเวอร์ (ความเร็ว 150 ลิตร/วินาที) เพื่อครอสโอเวอร์ที่รวดเร็ว

ระยะสุญญากาศสูง:ปั๊มเทอร์โบโมเลกุลที่ลอยได้ด้วยแม่เหล็ก (1600 ลิตร/วินาที) พร้อมปั๊มสกรอลล์แห้งแบบไม่มีน้ำมัน- เพื่อกำจัดกระแสไฮโดรคาร์บอนย้อนกลับ

ตัวเลือกไครโอเจนิค:ไนโตรเจนเหลวกับดักเย็นและปั๊มแช่แข็งสำหรับน้ำต่ำ{0}}แรงดันบางส่วนของไอ

การวัดสูญญากาศ:เกจพิรานีและแคโทดเย็นที่ปรับเทียบแล้ว-ข้ามเพื่อการตอบรับแบบเรียลไทม์จากบรรยากาศถึง 10^-7 Pa

วัสดุระเหย
ออกไซด์:SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3

ฟลูออไรด์:MgF2, LaF3

โลหะ:อัล, แอก, ออ, ติ, Cr

ความเข้ากันได้ของพื้นผิว
พื้นผิวแสง:ซิลิกาผสม, N-BK7, ซิลิคอน, เจอร์เมเนียม และหน้าต่างซีลีไนด์สังกะสี

เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์:ซิลิคอนและเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ผสมขนาด 100 มม. ถึง 300 มม.

โพลีเมอร์:ฟิล์ม PET, PI (โพลิอิไมด์) และ PMMA โดยใช้พารามิเตอร์ IAD ที่อุณหภูมิต่ำ-

เลนส์ที่แม่นยำ:การเคลือบป้องกันแสงสะท้อน (AR) - กระจกเลเซอร์ และตัวกรองแบนด์พาสแคบที่ต้องการความต้านทานต่อความชื้น

ไมโครอิเล็กทรอนิกส์:อิเล็กโทรดเกทโลหะ ชั้นการยึดเกาะ และอุปสรรคในการฟิล์มในบรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์:หน้าสัมผัสออกไซด์นำไฟฟ้าแบบโปร่งใส (TCO) และชั้นห่อหุ้มที่กั้นความชื้น- OLED

เรขาคณิตของห้อง:โครงสร้างทรงสี่เหลี่ยมหรือทรงกระบอกที่ปรับให้เหมาะกับข้อจำกัดของผนังห้องคลีนรูม

การผสานรวมหลาย-:การตั้งค่าการระเหยร่วม-รองรับปืนลำแสง E- สามลำและเรือระบายความร้อนสี่ลำ

ใน-พอร์ตมาตรวิทยา Situ:พอร์ตการรวมหน้าแปลนสำหรับเครื่องวัดวงรีสเปกโทรสโกปีหรือระบบตรวจสอบด้วยแสง

ระดับอัตโนมัติ:การสร้างการวิจัยกึ่ง-อัตโนมัติหรือการจัดการคาสเซ็ตต์เวเฟอร์แบบอัตโนมัติทั้งหมด-ถึง-

การตรวจจับการรั่วไหล:การทดสอบแมสสเปกโตรมิเตอร์ฮีเลียมในห้องทุกห้องด้วยเกณฑ์การปฏิเสธที่เข้มงวดที่ < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s

การตรวจสอบความสะอาด:การสแกนเครื่องวิเคราะห์ก๊าซตกค้าง (RGA) ดำเนินการก่อน-การจัดส่งเพื่อตรวจสอบปริมาณไฮโดรคาร์บอนอินทรีย์เป็นศูนย์

เบิร์นระบบ-ใน:การทดสอบการทำงานแบบแห้งต่อเนื่อง 72{{1} ชั่วโมงสำหรับไดรฟ์แบบกลไก ท่อร่วมทำความเย็น และอินเตอร์ล็อคทางไฟฟ้า

เอกสารประกอบ:ใบรับรองการทดสอบโรงงานวัสดุ (MTR) แผนผังไฟฟ้า และรายงานการทดสอบการยอมรับของโรงงาน (FAT)

การเตรียมสถานที่:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/ชม.) อากาศแห้งที่สะอาด (CDA) และไอเสีย

การว่าจ้าง:การใช้บริการภาคสนามสำหรับการปรับระดับเชิงกล การเชื่อมต่อสาธารณูปโภค การสอบเทียบสุญญากาศ และการลงนามสูตร-

การฝึกอบรมผู้ปฏิบัติงาน:โปรแกรมนอกสถานที่ 5- วันครอบคลุมการดำเนินงาน การบำรุงรักษาเชิงป้องกัน การแก้ไขปัญหา และการเชื่อมต่อด้านความปลอดภัย

อะไหล่:รายการสึกหรอที่สำคัญ (เส้นใย, คริสตัล QCM, ซีล, แบริ่งเทอร์โบโมเลกุล) มีเก็บไว้ตามภูมิภาค