ภาพรวมผลิตภัณฑ์

 

อุปกรณ์ฟิล์มบางแบบช่วยระเหยของซีรีส์ IAE-Ion- ผสมผสานการสะสมไอทางกายภาพ (PVD) เข้ากับการยิงลำแสงไอออนแบบเรียลไทม์- ด้วยการส่งไอออนพลังงานไปบนพื้นผิวระหว่างการระเหยของความร้อนหรือลำแสงอิเล็กตรอน- ระบบจะถ่ายโอนโมเมนตัมไปยังอะอะตอมที่ควบแน่น ซึ่งเป็นการปรับโครงสร้างจุลภาคของฟิล์มที่กำลังเติบโต


การถ่ายโอนพลังงานจลน์นี้กำจัดช่องว่างในแนวตั้ง ระงับการดูดซึมความชื้น และล็อคดัชนีการหักเหของแสงจากการเปลี่ยนแปลงของความชื้นโดยรอบ สร้างขึ้นสำหรับการทำงานหลายกะ-อย่างต่อเนื่องในสายการผลิตออปติกและเซมิคอนดักเตอร์ แพลตฟอร์มนี้รองรับซับสเตรตตั้งแต่ออปติกเลเซอร์ความแม่นยำสูง-ไปจนถึงเวเฟอร์ซิลิคอน

 
  • ไอออน-อุปกรณ์ช่วยระเหยสุญญากาศ
    ระบบการระเหยสูญญากาศแบบช่วยด้วยไอออน-รวมแหล่งกำเนิดการระเหยด้วยลำแสงความร้อนหรืออิเล็กตรอน-ในสุญญากาศสูงเข้ากับแหล่งกำเนิดไอออนแบบฮอลล์-ประเภท Kaufman หรือจุดสิ้นสุด-...
    ดูเพิ่มเติม
  • ไอออน-ระบบช่วยสะสมฟิล์มบาง
    ระบบการสะสมฟิล์มบางด้วยไอออน-รวมการระเหยของลำแสงอิเล็กตรอน/ความร้อนแบบ-พ็อกเก็ต{2}}หลายช่องเข้ากับแหล่งกำเนิดไอออนประเภท-ส่วนปลาย-ฮอลล์หรือลิตร{5}}ประสิทธิภาพสูง ในระหว่างการสะสมไอทางกายภาพ (PVD)...
    ดูเพิ่มเติม
  • อุปกรณ์ช่วยระเหยด้วยลำแสงไอออน
    ระบบ IBAE ผสมผสานลำแสงอิเล็กตรอน-หรือการระเหยด้วยความร้อนเข้ากับแหล่งกำเนิดไอออนลำแสงกว้าง- การระดมไอออนพร้อมกันในระหว่างการเจริญเติบโตของฟิล์มจะถ่ายเทพลังงานจลน์ไปยังอะอะตอมที่ควบแน่น...
    ดูเพิ่มเติม
  • ไอออน-อุปกรณ์ช่วยสะสมฟิล์มบาง
    อุปกรณ์ช่วยการตกสะสมฟิล์มบางของไอออนซีรีส์ IA-- ผสมผสานการระเหยความร้อนของลำแสงอิเล็กตรอน-เข้ากับแหล่งกำเนิดไอออนของฮอลล์ไอออนแบบ Kaufman หรือ End- การทิ้งไอออนที่มีพลัง...
    ดูเพิ่มเติม
  • ไอออน-ระบบฟิล์มบางช่วยระเหย
    ระบบฟิล์มบางแบบช่วยระเหย-ด้วยไอออน (IAE) ผสานรวมการสะสมไอทางกายภาพ (PVD) เข้ากับการระดมยิงลำแสงไอออนอันทรงพลัง ในระหว่างการระเหยของลำแสงความร้อนหรืออิเล็กตรอน- แหล่งกำเนิดไอออนของฮอลล์ไอออนเสริม...
    ดูเพิ่มเติม
  • ไอออน-อุปกรณ์ฟิล์มบางช่วยระเหย
    ระบบ-ไอออนเกรดอุตสาหกรรม-ช่วยการระเหย (IAE) ที่รวมการระเหยของลำแสงอิเล็กตรอนหลาย-พ็อคเก็ตอิเล็กตรอน-เข้ากับแหล่งกำเนิดลำแสงไอออนพลังงานสูง (การกำหนดค่า End-Hall หรือ Kaufman)...
    ดูเพิ่มเติม
 
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

 

พารามิเตอร์

ข้อมูลจำเพาะ

แรงดันฐานขั้นสูงสุด

< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping)

แหล่งที่มาของการระเหย

ปืนลำแสงหลาย-พ็อกเก็ต E- (4 × 15cc ถึง 40cc) และแหล่งความร้อนแบบต้านทาน

ประเภทแหล่งกำเนิดไอออน

แหล่งกำเนิดไอออนแบบ Gridless End-Hall / Kaufman- (แรงดันลำแสง: 50 – 1500 V, กระแสไอออน: 0.1 – 3 A)

การควบคุมความหนาของฟิล์ม

ไมโครบาลานซ์คริสตัลควอตซ์ (QCM) + ระบบตรวจสอบด้วยแสง (OMS) ความแม่นยำ ± 0.1 นาโนเมตร

การยึดพื้นผิว

อุปกรณ์จับยึดการหมุนของดาวเคราะห์ รัศมีโดมที่ปรับแต่งตามเรขาคณิตของพื้นผิว

การทำความร้อนพื้นผิว

แผงทำความร้อนแบบ Radiant สูงถึง 350 องศา โดยมีความสม่ำเสมอของ PID ± 2 องศา

สถาปัตยกรรมการควบคุม

PLC + PC อุตสาหกรรม, การดำเนินการตามสูตรอัตโนมัติ, การบันทึกข้อมูลตามมาตรฐาน SECS/GEM

 

ไอออน-กระบวนการช่วยสะสม

 

การสร้างไอ:

วัสดุถูกระเหยออกจาก-เบ้าหลอมลำแสงหรือเรือเทอร์มอลที่อัตราการสะสมที่ควบคุม (0.1 – 2.0 นาโนเมตร/วินาที)

01

การโอนโมเมนตัม:

ไอออนพลังงาน (Ar⁺, O⁺) โจมตีพื้นผิวของซับสเตรตพร้อมกับฟลักซ์ไอที่มาถึงจากลำแสง E- หรือแหล่งความร้อน

02

การปรับเปลี่ยนโครงสร้างจุลภาค:

ผลกระทบของไอออนช่วยเพิ่มการเคลื่อนที่ของพื้นผิว adatom ป้องกันการเติบโตของเกรนแบบเรียงเป็นแนว และบรรลุความหนาแน่นเกือบ{0}}เป็นกลุ่ม (ความหนาแน่นของการบรรจุ > 99%)

03

การแก้ไขปริมาณสัมพันธ์:

ตัวช่วยไอออนรีแอกทีฟ (O₂) ช่วยให้มั่นใจได้ถึงการเกิดออกซิเดชันที่สมบูรณ์ของซับ-ออกไซด์ในฟิล์มโลหะออกไซด์ (เช่น Ta₂O₅, Nb₂O₅, SiO₂) ซึ่งกำจัดแถบการดูดซับในสเปกตรัม UV- NIR

04

 

วัสดุฟิล์ม
 
 

ออกไซด์:

SiO₂, Ta₂O₅, TiO₂, Nb₂O₅, HfO₂ (ความเสถียรของดัชนีการหักเหของแสงสูงสำหรับตัวกรองแสง)

 
 
 

ฟลูออไรด์:

MgF₂, LaF₃ (ชั้นดัชนีการหักเหของแสงต่ำสำหรับการเคลือบ AR บรอดแบนด์)

 
 
 

โลหะ:

Al, Ag, Au, Ti (ชั้นการยึดเกาะและแผ่นสะท้อนแสงแบบโลหะ)

 

 

การใช้งาน

เลนส์เลเซอร์และความแม่นยำ:

ตัวกรองแบนด์พาส กระจกไดโครอิก และการเคลือบป้องกันด้วยเลเซอร์ต้องใช้เกณฑ์ความเสียหายที่เกิดจากเลเซอร์ (LIDT) สูง และการเปลี่ยนแปลงสเปกตรัมเป็นศูนย์ภายใต้ความเครียดจากความร้อน

ฝาครอบกระจก LiDAR:

ฟิล์มบางที่ทนทานต่อ-แสงสะท้อน (AR) และ-ป้องกันความสกปรก ทนทานต่อสภาพอากาศกลางแจ้งที่รุนแรง

productcate-550-450
productcate-550-450

บรรจุภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์:

ชั้นห่อหุ้มกั้นความชื้น-และแผ่นสัมผัสโลหะที่สะสมไว้ที่อุณหภูมิพื้นผิวต่ำ

เซ็นเซอร์ชีวการแพทย์:

การเคลือบสัญญาณรบกวนทางแสงที่เข้ากันได้ทางชีวภาพสำหรับชิปไมโครฟลูอิดิกในการวินิจฉัย

 

 
 
การปรับแต่ง

ห้องเพาะเลี้ยงและเค้าโครงภายในได้รับการออกแบบทางวิศวกรรมเพื่อรองรับรอยเท้าการผลิตและข้อกำหนดกระบวนการเฉพาะ:

01.

ขนาดห้อง:

ปรับขนาดได้ตั้งแต่ R=600 หน่วย R&D จนถึง R=1200 มม. ระบบการผลิตที่มีกำลังการผลิตสูง-

02.

แพคเกจสูบน้ำ:

กำหนดค่าได้ด้วยปั๊มโมเลกุลเทอร์โบ Maglev, ปั๊มแช่แข็ง และแนวรองรับโบลเวอร์ Roots ตามความต้องการปริมาณก๊าซ

03.

การรวมแหล่งที่มา:

การกำหนดค่าแหล่งกำเนิดไอออนคู่-หรือการตั้งค่าการสะสม-ร่วมสำหรับโลหะผสมที่ซับซ้อนและฟิล์มไล่ระดับสีหลาย-

04.

ระดับอัตโนมัติ:

บูรณาการกับระบบถ่ายโอนซับสเตรตห้องสะอาดอัตโนมัติ (EFEM / เครื่องมือคลัสเตอร์สุญญากาศ)

 

การควบคุมคุณภาพ
 

การตรวจจับการรั่วไหล:

ห้องสุญญากาศทุกห้องได้รับการทดสอบการรั่วไหลของฮีเลียม-โดยใช้แมสสเปกโตรมิเตอร์ (อัตราการรั่วไหล < 1.0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s)

การตรวจสอบย้อนกลับส่วนประกอบ:

วาล์วสุญญากาศ ตัวควบคุมการไหลของมวล (MFC) และอุปกรณ์จ่ายไฟที่มาจากแบรนด์อุตสาหกรรมระดับ Tier-1 ที่ผ่านการรับรอง (MKS, Inficon, VAT)

การทดสอบการยอมรับจากโรงงาน (FAT):

ดำเนินการ-ทดสอบเพื่อยืนยันแรงดันฐาน เส้นโค้งการสูบ ความเสถียรของแหล่งจ่าย และความทนทานในห้องเปล่าต่อเนื่อง 24{{2} ชั่วโมงก่อนจัดส่ง

การตรวจสอบมาตรวิทยา:

ตัวอย่างที่ตรวจสอบผ่านเครื่องสเปกโตรโฟโตมิเตอร์ (การส่งผ่าน/การสะท้อนแสง) และกล้องจุลทรรศน์แรงอะตอม (ความหยาบผิว Ra < 0.5 นาโนเมตร)

 

การติดตั้งและการสนับสนุนทางเทคนิค
 
 
 

คู่มือการเตรียมสถานที่:

ข้อกำหนดด้านสาธารณูปโภคที่ครอบคลุมก่อนการส่งมอบ (การไหลของน้ำหล่อเย็น/แรงดัน อากาศอัดในห้องสะอาด การกระจายพลังงาน การระบายไอเสีย)

 
 

การว่าจ้างแบบครบวงจร:

วิศวกรบริการภาคสนามจัดการการประกอบเครื่องจักรกล การอบสุญญากาศ- การสอบเทียบลำแสงไอออน และการลงนามสูตรกระบวนการเริ่มต้น-ที่-ไซต์งาน

 
 

การฝึกอบรมผู้ปฏิบัติงาน:

การฝึกอบรมมือที่มีโครงสร้าง-ครอบคลุมถึงการบำรุงรักษาตามปกติ ความปลอดภัยของสุญญากาศ การทำงานของซอฟต์แวร์ และการแก้ไขปัญหา

 
 

การสนับสนุนวงจรชีวิต:

อินเทอร์เฟซการวินิจฉัยระยะไกลสำหรับการแก้ไขปัญหาซอฟต์แวร์อย่างรวดเร็ว สต็อกสินค้าที่มีการสึกหรอวิกฤตในระดับภูมิภาค (เส้นใย ถ้วยใส่ตัวอย่าง โล่) จะถูกจัดส่งภายใน 48 ชั่วโมง

 

 

 

คำถามที่พบบ่อย

 

 

ถาม: ความช่วยเหลือของไอออนป้องกันการเปลี่ยนแปลงสเปกตรัมในฟิลเตอร์ออพติคอลได้อย่างไร

ตอบ: การระเหยด้วยความร้อนแบบปกติจะทำให้เกิดช่องว่างเล็กๆ น้อยๆ ในฟิล์ม ซึ่งจะดูดซับความชื้นโดยรอบ ส่งผลให้ความหนาทางกายภาพและดัชนีการหักเหของแสงเปลี่ยนแปลงไป การทิ้งระเบิดด้วยไอออนจะเพิ่มความหนาแน่นของการอัดฟิล์มให้สูงกว่า 99% ช่วยปิดผนึกโครงสร้างจุลภาคจากการซึมผ่านของความชื้น และล็อคพารามิเตอร์ทางแสงให้เสถียรในสภาพแวดล้อมที่มีความชื้นแปรผัน

ถาม: ช่วงเวลาการบำรุงรักษาโดยทั่วไปสำหรับกริดแหล่งกำเนิดไอออนคือเท่าใด

ตอบ: ขึ้นอยู่กับก๊าซในกระบวนการ (Ar เทียบกับ O₂ ปฏิกิริยา) และกำลังในการทำงาน จำเป็นต้องมีการบำรุงรักษากริดทุกๆ 150 ถึง 300 ชั่วโมงการประมวลผล Gridless End-การออกแบบห้องโถงขยายหน้าต่างการปฏิบัติงานได้อย่างมากโดยกำจัดโครงข่ายทางกายภาพที่อาจเกิดการสึกหรอแบบสปัตเตอร์

ถาม: อุปกรณ์นี้สามารถทำงานร่วมกับระบบอัตโนมัติในโรงงานที่มีอยู่ได้หรือไม่

ก. ใช่. ซอฟต์แวร์ควบคุมรองรับโปรโตคอล SECS/GEM และ OPC UA ช่วยให้สามารถเชื่อมต่อโดยตรงกับระบบการดำเนินการผลิต (MES) เพื่อการจัดการสูตรและการติดตามล็อต

เรา{0}}เป็นที่รู้จักดีว่าเป็นหนึ่งในผู้ผลิตและซัพพลายเออร์อุปกรณ์ฟิล์มบางที่ใช้การระเหย-ชั้นนำในประเทศจีน หากคุณกำลังจะซื้ออุปกรณ์ฟิล์มบางที่ช่วยระเหย-ไอออนแบบกำหนดเองที่ผลิตในประเทศจีน ยินดีรับรายการราคาจากโรงงานของเรา หากต้องการคำปรึกษาด้านราคาโปรดติดต่อเรา

ส่งคำถาม
ติดต่อเราหากคุณมีคำถามใดๆ

คุณสามารถติดต่อเราผ่านทางโทรศัพท์ อีเมล หรือแบบฟอร์มออนไลน์ด้านล่างนี้ ผู้เชี่ยวชาญของเราจะติดต่อกลับโดยเร็วที่สุด

ติดต่อเลย!