ไอออน-ระบบช่วยสะสมฟิล์มบาง

ระบบการสะสมฟิล์มบางด้วยไอออน-รวมการระเหยของลำแสงอิเล็กตรอน/ความร้อนแบบ-พ็อกเก็ต{2}}หลายช่องเข้ากับแหล่งกำเนิดไอออนประเภท-ส่วนปลาย-ฮอลล์หรือลิตร{5}}ประสิทธิภาพสูง ในระหว่างการสะสมไอทางกายภาพ (PVD) การทิ้งระเบิดด้วยไอออนที่มีพลังจะถ่ายโอนโมเมนตัมโดยตรงไปยังอะอะตอมบนพื้นผิวของสารตั้งต้น ช่วยขจัดช่องว่างของโครงสร้างจุลภาคแบบเรียงเป็นแนว และทำให้เกิดฟิล์มบางที่มีความหนาแน่นสูง{7}}และมีเสถียรภาพต่อสิ่งแวดล้อม

ออกแบบมาเพื่อการผลิตด้านออปติกที่มีความแม่นยำ ไมโครอิเล็กทรอนิกส์แบบเซมิคอนดักเตอร์ และศูนย์วิจัยและพัฒนาขั้นสูง แพลตฟอร์มนี้มอบความสามารถในการทำซ้ำแบบแบทช์-ถึง-แบบเข้มงวดสำหรับตัวกรองสัญญาณรบกวนทางแสงที่ซับซ้อน เสื้อคลุมป้องกันแบบแข็ง และชั้นฟิล์มทู่ของเซมิคอนดักเตอร์

โมเมนตัม-โครงสร้างจุลภาคที่ได้รับการปรับปรุง:ความช่วยเหลือของไอออนที่ควบคุมจะเพิ่มการเคลื่อนที่ของพื้นผิว adatom ยับยั้งการเติบโตของเกรนเรียงเป็นแนวที่มีรูพรุนได้อย่างมีประสิทธิภาพ และกำจัดการเปลี่ยนแปลงดัชนีการหักเหของแสงที่เกิดจากการดูดซับความชื้น

ผลตอบรับความหนาของช่องสัญญาณคู่-:ผสานรวมโพรบดูอัลควอตซ์คริสตัลไมโครบาลานซ์ (QCM) เข้ากับพอร์ตการตรวจสอบด้วยแสงแบบบรอดแบนด์ (BOM) สำหรับการควบคุมความหนาและอัตราของมาตราส่วน-นาโนเมตรเวลาจริง-

ห้องสุญญากาศที่สะอาดเป็นพิเศษ-:สร้างขึ้นจากสแตนเลส 304L พร้อม-ขัดเงาด้วยไฟฟ้าภายใน -วาล์วประตู VAT แบบปิดผนึกด้วยโลหะ และหน้าแปลนโลหะแบบนิวแมติก-เพื่อลดการปล่อยก๊าซ

กฎข้อบังคับเกี่ยวกับแก๊สรีแอกทีฟแบบลูป-แบบปิด:ตัวควบคุมการไหลของมวล (MFC) ที่มีความแม่นยำสูง-จะตรวจวัดออกซิเจนปฏิกิริยา ไนโตรเจน และก๊าซอาร์กอนที่มีความละเอียดต่ำกว่า-sccm เพื่อรักษาความปลอดภัยของชั้นสารประกอบปริมาณสัมพันธ์

เส้นหยาบ:ปั๊มแบบแห้งแบบแห้งที่ปิดผนึกสุญญากาศ-แบบไร้น้ำมันช่วยลดความเสี่ยงในการปนเปื้อนของไฮโดรคาร์บอนในขั้นตอนการกัดหยาบและขั้นตอนหน้า

บูรณาการสูญญากาศสูง:ปั๊มเทอร์โบโมเลกุล Maglev ที่ต่อเข้ากับห้องหลักโดยตรงผ่านวาล์วประตูนิวแมติกนำไฟฟ้าสูง- จะเพิ่มความเร็วในการสูบสูงสุดสำหรับกระบวนการและไอน้ำที่ตกค้าง

การวินิจฉัยสุญญากาศ:เกจพิรานีสำรองและแคโทดเย็นให้การบันทึกแรงดันข้าม-ที่ปรับเทียบอย่างต่อเนื่องจากบรรยากาศจนถึง 10⁻7 Pa

วัสดุระเหย:ไดอิเล็กทริกออกไซด์: SiO₂, TiO₂, Ta₂O₅, Nb₂O₅, HfO₂, Al₂O₃

ฟลูออไรด์:MgF₂, LaF₃

โลหะทนไฟ:Au, Ag, อัล, Ti, Cr, NiCr

ประเภทย่อยของพื้นผิว:แก้วแสง (BK7, ซิลิกาหลอม, ควอตซ์), เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ (ซิลิคอน, GaAs), พื้นผิวผลึกเดี่ยว- (LiNbO₃, แซฟไฟร์) และส่วนประกอบโลหะที่มีความแม่นยำ

เลนส์ที่แม่นยำ:ฟิลเตอร์หารมัลติเพล็กซิ่ง (WDM) ความยาวคลื่นแถบแคบ (WDM) กระจกเส้นเลเซอร์ และการเคลือบป้องกันแสงสะท้อน (AR) - ที่ทนทานสำหรับระบบเลเซอร์กำลังสูง-

การผลิตเซมิคอนดักเตอร์:ไดอิเล็กทริกเกตออกไซด์ ชั้นเมล็ดของการยึดเกาะที่เชื่อมต่อระหว่างโลหะ และสารเคลือบกันความชื้น-

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ขั้นสูง:-ฟิล์มโพลาไรเซอร์แบบบาง ชั้นหุ้มท่อนำคลื่น และฟิล์มแผงสัมผัสแบบสัมผัสที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าออกไซด์ (TCO) โปร่งใส-

เปลือกห้อง:การออกแบบ-ขวดโหลทรงระฆังแนวตั้ง -แบบกล่องสี่เหลี่ยมประตูคู่ หรือแบบทะลุผ่านห้องคลีนรูม

ความเป็นโมดูลของแหล่งที่มา:การนับจำนวนพ็อกเก็ตที่กำหนดเอง การรวมแคโทดแมกนีตรอนสปัตเตอร์รอง หรือการตั้งค่าพลังงานไบอัส RF แบบพิเศษ

สถาปัตยกรรมระบบอัตโนมัติ:ตรรกะการเชื่อมต่อ PLC ที่ปรับแต่งมาโดยเฉพาะ ระดับสิทธิ์การรักษาความปลอดภัย SCADA และโปรโตคอลการบันทึกข้อมูลโฮสต์ SECS/GEM{0}}

การตรวจสอบส่วนประกอบ:หน้าแปลนโครงสร้าง การป้อนผ่านสุญญากาศ ระบบอิเล็กทรอนิกส์กำลัง และตัวควบคุมการไหลของมวลทั้งหมดผ่านการทดสอบแบบมิติและแบบทดสอบไฟฟ้าก่อนการประกอบ

การรับรองการรั่วไหล:ห้องประกอบจะผ่านการทดสอบการรั่วของมวลฮีเลียมสเปกโตรมิเตอร์ เกณฑ์การปฏิเสธจะต้องต่ำกว่า 1.0 × 10⁻⁹ Pa·m³/s

การทดสอบการยอมรับจากโรงงาน (FAT):การตรวจสอบความถูกต้องรันต่อเนื่องแบบแห้ง-ที่บังคับเป็นเวลา 72- ชั่วโมง ซึ่งครอบคลุมถึงกราฟการดึงลงของปั๊ม กลไกการหมุนของดาวเคราะห์หลาย-แกน ลูปความปลอดภัยที่เชื่อมต่อกัน และความเสถียรของการปล่อยปืน e-beam

เอกสารประกอบ:จัดส่งพร้อมแบบร่างการประกอบเครื่องกล แผนผังไฟฟ้า เค้าโครง P&ID การลงทะเบียนแหล่งที่มาลอจิก PLC และคำแนะนำการบำรุงรักษาเชิงป้องกัน

ใน-การว่าจ้างไซต์:วิศวกรบริการภาคสนามกำหนดตำแหน่งเชิงกล การเชื่อมต่อสาธารณูปโภค (ไฟฟ้า น้ำหล่อเย็น อากาศอัด) และอบระบบเริ่มต้น-

การฝึกอบรมกระบวนการ:ประกอบด้วยการดำเนินการสอบเทียบพื้นฐาน การปรับพารามิเตอร์แหล่งกำเนิดไอออน และการฝึกอบรมเกณฑ์วิธีความปลอดภัยของผู้ปฏิบัติงาน

การดูแลวงจรชีวิต:การสนับสนุนการวินิจฉัยระยะไกลผ่านโมดูล VPN ที่เข้ารหัส การเก็บอะไหล่ในภูมิภาค และการตรวจสอบการสอบเทียบตามกำหนดเวลา