PVD Multi-อุปกรณ์แปรรูปฟิล์มบาง

PVD Multi-Process Thin Film Equipment เป็นแพลตฟอร์มการสะสมสูญญากาศแบบบูรณาการที่ออกแบบมาเพื่อรวม-เทคนิคการผลิตฟิล์มบางหลายๆ อย่าง-รวมถึงการสปัตเตอร์แมกนีตรอน RF/DC การระเหยด้วยความร้อน และการระเหยลำอิเล็กตรอน- ภายในสถาปัตยกรรมสุญญากาศแบบครบวงจร

ระบบนี้กำจัดการปนเปื้อนจากการแตกของสุญญากาศระหว่างชั้นกระบวนการที่แตกต่างกัน ช่วยให้เกิดการสะสมของฟิล์มโลหะ ไดอิเล็กตริก และเซมิคอนดักเตอร์หลาย-ที่ซับซ้อนหลายชั้นโดยไม่ต้องสัมผัสกับสิ่งแวดล้อม ได้รับการกำหนดค่าสำหรับคลัสเตอร์ R&D ในห้องปฏิบัติการหรือสายการผลิตนำร่อง- โดยสามารถรองรับวัสดุพิมพ์ที่มีเส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด 300 มม. หรือตัวพาแบบกำหนดเองได้

สถาปัตยกรรมสุญญากาศแบบแยกส่วน:ห้องกระบวนการอิสระที่เชื่อมต่อผ่านวาล์วประตูป้องกันการปนเปื้อนข้าม-ระหว่างปฏิกิริยาสปัตเตอร์และการระเหยแบบสุญญากาศสูง-

ใน-การถ่ายโอนพื้นผิวสุญญากาศ:แขนถ่ายโอนแบบแม่เหล็กหรือเชิงเส้นรักษาสุญญากาศสูง (< 10^-4 Pa) during inter-chamber sample movement.

ด่วน-เปลี่ยนหน้าแปลนแหล่งที่มา:สปัตเตอร์แคโทดและถ้วยใส่ตัวอย่างลำแสง e- ติดตั้งอยู่บนหน้าแปลน CF มาตรฐานเพื่อการบำรุงรักษาที่รวดเร็วและการเปลี่ยนเป้าหมาย

การดักจับไครโอเจนิกขั้นสูง:กับดักไนโตรเจนเหลวเย็นในตัวและกับดัก Meissner ช่วยลดแรงดันไอน้ำที่ตกค้างภายในห้องเพาะเลี้ยง

ปิด-การตรวจสอบความหนาของลูป:เซ็นเซอร์คู่คริสตัลควอตซ์ไมโครบาลานซ์ (QCM) ให้อัตราการสะสมตามเวลาจริงและการตอบสนองความหนาที่เชื่อมโยงโดยตรงกับการควบคุมแหล่งจ่ายไฟ

ขั้นตอนการหยาบ:ปั๊มสโครลแบบไม่ใช้น้ำมัน-จับคู่กับโบลเวอร์แบบหลายขั้นตอน-เพื่อกำจัดกระแสไฮโดรคาร์บอนกลับ-

ระยะสุญญากาศสูง:Backed by magnetically levitated turbo-molecular pumps (>1200 ลิตร/วินาที สำหรับ N2) และปั๊มแช่แข็งเสริมสำหรับปริมาณไอน้ำสูง-

การควบคุมความดัน:มาโนมิเตอร์ความจุ Baratron สำหรับการวัดความดันสัมบูรณ์ที่ไม่ขึ้นอยู่กับชนิดของก๊าซ จับคู่กับวาล์วปีกผีเสื้ออัตโนมัติเพื่อการควบคุมแรงดันก๊าซในกระบวนการที่แม่นยำ (0.1 Pa ถึง 10 Pa)

การตรวจจับการรั่วไหล:การรั่วของฮีเลียม-ผ่านการทดสอบที่ < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s ก่อนการทดสอบการยอมรับจากโรงงาน (FAT)

เป้าหมายที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า:Au, Ag, Cu, อัล, Ti, Cr, ITO, AZO, Mo, W, NiCr

วัสดุอิเล็กทริก:SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2 (ผ่านการสปัตเตอร์ปฏิกิริยาหรือลำแสง e-)

ประเภทพื้นผิว:
เวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ (ซิลิคอน, แกลเลียมอาร์เซไนด์, อินเดียมฟอสไฟด์)

ออปติคัลช่องว่าง (ซิลิกาผสม, BK7, แซฟไฟร์)

ใยยืดหยุ่นและแผ่นโลหะบาง (โพลีอิไมด์, ฟอยล์สแตนเลส)

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์:การสะสมของชั้นสื่อกระแสไฟฟ้าออกไซด์ (TCO) โปร่งใสและสแต็กตัวกรองแสงป้องกัน-แสงสะท้อน (AR)

การผลิตอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์:การก่อตัวของหน้าสัมผัสแบบโอห์มมิก ตัวกั้นชอตกี ชั้นเมล็ดสำหรับการชุบด้วยไฟฟ้า และตัวกั้นการแพร่กระจาย (Ti/TiN)

การผลิตเซ็นเซอร์:สเตรนเกจโลหะแบบฟิล์มบาง- องค์ประกอบเครื่องทำความร้อนขนาดเล็ก- และทรานสดิวเซอร์เพียโซอิเล็กทริก

การวิจัยและพัฒนาขั้นสูง:การสังเคราะห์ฟิล์มบาง-หลายชั้นเชิงสำรวจสำหรับส่วนประกอบคอมพิวเตอร์ควอนตัมและวัสดุกักเก็บพลังงานแบบใหม่

เรขาคณิตของห้อง:การขยายขนาดห้องเพาะเลี้ยงสำหรับวัสดุพิมพ์ชุดที่ไม่ใช่-มาตรฐานหรือขนาดใหญ่เกินไป

การรวมแหล่งที่มา:อัตราส่วนการจัดสรรแบบกำหนดเองระหว่างปืนสปัตเตอร์แมกนีตรอนและช่องระเหยลำแสงอิเล็กตรอน

อคติสปัตเตอร์:ตัวเลือกการให้น้ำหนัก RF/DC ของพื้นผิวสำหรับการเพิ่มความหนาแน่นของฟิล์มและการควบคุมความเค้น

โหลด-การรวมการล็อค:เพิ่มห้องล็อคโหลดอัตโนมัติ-เพื่อรักษาความสมบูรณ์ของสุญญากาศสูงในระหว่างรอบการโหลด-ปริมาณงานสูง

การตรวจสอบย้อนกลับของวัสดุ:ใบรับรองการทดสอบโรงงาน (MTC) ที่มอบให้สำหรับส่วนประกอบสเตนเลสสตีลด้านข้างสุญญากาศ-ทั้งหมดและโครงโครงสร้าง

การประกอบห้องคลีนรูม:การรวมขั้นสุดท้ายและการตรวจสอบจำนวนอนุภาค-ดำเนินการในสภาพแวดล้อมห้องปลอดเชื้อ ISO คลาส 6

การทดสอบการยอมรับจากโรงงาน (FAT):การทดสอบการอบออกด้วยสุญญากาศอย่างต่อเนื่องเป็นเวลา 72{{1} ชั่วโมง การทดสอบการรั่วไหลผ่านเครื่องวิเคราะห์ก๊าซตกค้าง (RGA) แมสสเปกโตรเมทรี และการดำเนินการสะสมฟิล์มพื้นฐานเพื่อตรวจสอบความสม่ำเสมอของความหนา

คู่มือการเตรียมสถานที่:Comprehensive utility mapping provided pre-shipment, detailing chilled water flow rates (>15 ลิตร/นาที), อากาศอัด, ท่อก๊าซในกระบวนการ (Ar, O2, N2 ที่ความบริสุทธิ์ 99.999%) และข้อกำหนดด้านโหลดทางไฟฟ้า (3 เฟส 380V/480V)

การว่าจ้าง:-การติดตั้งที่ไซต์งาน การสอบเทียบสุญญากาศ และการทดสอบร่วม-ดำเนินการโดยวิศวกรบริการภาคสนามของโรงงาน

การฝึกอบรมผู้ปฏิบัติงาน:การฝึกอบรมนอกสถานที่แบบมีโครงสร้างระยะเวลา 5- ซึ่งครอบคลุมถึงการบำรุงรักษาตามปกติ ระเบียบวิธีความปลอดภัยของสุญญากาศ การตั้งโปรแกรมสูตรอาหาร และการแก้ไขปัญหาเบื้องต้น